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PMPB08R6EN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PMPB08R6EN
廠商型號

PMPB08R6EN

功能描述

30 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識

ZB

封裝外殼

SOT1220-2

文件大小

325.3 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-7 16:10:00

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PMPB08R6EN規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Logic-level compatible

? Very fast switching

? Trench Superjunction Technology

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

? Exposed drain pad for excellent thermal conduction

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side load switch

? Switching circuits

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
恩XP
24+
N/A
18000
原裝正品 有掛有貨 假一賠十
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