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PHP20N06E

PowerMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelope. ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andinautomotiveandgeneralpurposeswitchingapplications.

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHP20N06T

N-channelTrenchMOStransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Features ■Verylowon-stateresistance ■Fastswitching. Applications ■Switchedmodepowersupplies ■DCtoDCconverters.

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHP20N06T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PHP20N06T

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits L

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PHX20N06T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PHX20N06T

N-channelTrenchMOS??standardlevelFET

Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullyisolatedplasticpackageusingTrenchMOS?technology. Features ■Standardlevelcompatible ■Isolatedpackage. Applications ■DCmotorcontrol ■Synchronousrectification ■DC-to-DCconverters ■Generalpur

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PJD20N06A

60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

SK20N06A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

SSD20N06

N-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

STD20N06

N-CHANNELENHANCEMENTMODE??LTRAHIGHDENSITY??POWERMOSTRANSISTOR

DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthelatestdevelopmentinlowvoltagetechnology.Theultrahighcelldensityprocess(UHD)producedwithfinegeometriesonadvancedequipmentgivesthedeviceextremelylowRDS(on)aswellasgoodswitchingperformanceandhighavalancheene

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PHB20N06T

  • 功能描述：

    MOSFET RAIL MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
PHI
24+
TO-263
20000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
PH
24+
SOT404TO-263D2PAK
8866
詢價(jià)
恩XP
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
恩XP
20+
SOT404TO-263D2PAK
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價(jià)
PHI
08+
TO-263
20000
普通
 詢價(jià)
恩XP
25+
25000
原廠原包 深圳現(xiàn)貨 主打品牌 假一賠百 可開票!
 詢價(jià)
恩XP
23+
TO-263
3500
原裝正品假一罰百!可開增票!
 詢價(jià)
恩XP
23+
SOT404TO-263D2PAK
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
PHI
24+
TO-263
240
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價(jià)
恩XP
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
更多PHB20N06T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-22 16:36:00

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