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PDTC113ET	文件：235.87 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC113EU	文件：235.87 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=1kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC113ZE	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
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PDTC113ZM	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC113ZS	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC113ZT	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTC113ZU	文件：236.59 Kbytes Page：19 Pages	PNPresistor-equippedtransistors;R1=1kW,R2=10kW Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
PDTD113E	文件：67.02 Kbytes Page：10 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k-ohm,R2=1k-ohm	PhilipsPhilips Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PDTD113E	文件：245.79 Kbytes Page：11 Pages	NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ Features Built-inbiasresistors Simplifiescircuitdesign 500mAoutputcurrentcapability Reducescomponentcount Reducespickandplacecosts ±10resistorratiotolerance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA

詳細參數(shù)

型號：
PDTB113ZT
功能描述：
開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶體管極性：
NPN/PNP
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作頻率：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V
集電極連續(xù)電流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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