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PDTD113E_SER

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTD113EK

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k-ohm,R2=1k-ohm

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTD113EK

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTD113EK

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTD113EQA

50V,500mANPNresistor-equippedtransistors

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)familyinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. Featuresandbenefits ■500mAoutputcurrentcapability ■Reducedpickandplacecosts ■Built

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTD113EQA

50V,500mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTD113EQA

50V,500mAPNPresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PDTD113EQA_SER

50V,500mANPNresistor-equippedtransistors

Featuresandbenefits ?500mAoutputcurrentcapability ?Built-inbiasresistors ??10resistorratiotolerance ?Simplifiescircuitdesign ?Reducescomponentcount ?Reducedpickandplacecosts ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOptical Inspection(AOI)ofsold

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安世安世半導體(中國)有限公司

PDTD113ES

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1k-ohm,R2=1k-ohm

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PDTD113ES

NPN500mA,50Vresistor-equippedtransistors;R1=1kΩ,R2=1kΩ

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *500mAoutputcurrentcapability *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts *±10resistorratiotolerance

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安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    PDTB113ZT

  • 功能描述：

    開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    ON Semiconductor

  • 晶體管極性：

    NPN/PNP

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    200 mA

  • 最大工作頻率：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    50 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    150 mA

  • 功率耗散：

    200 mW

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEXPERIA
24+
SOT23
36524
原裝正品,現(xiàn)貨庫存,1小時內(nèi)發(fā)貨
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NEXPERIA/安世
25+
SOT-23
600000
NEXPERIA/安世全新特價PDTB113ZT即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂
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Nexperia
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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Nexperia/安世
22+
SOT23
360000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
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