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PDTD113E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

PDTD113E
廠商型號

PDTD113E
參數(shù)屬性

PDTD113E 封裝/外殼為3-XDFN 裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3
功能描述

NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k-ohm, R2 = 1 k-ohm
封裝外殼

3-XDFN 裸露焊盤
文件大小

67.02 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商

PHI
中文名稱

飛利浦
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-9-5 18:19:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    PDTD113EQAZ

  • 制造商：

    Nexperia USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    33 @ 50mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    100mV @ 2.5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-XDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DFN1010D-3

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
恩XP
23+
QFN64
12700
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美
 詢價(jià)
恩XP
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NEXPERIA/安世
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百分百原裝現(xiàn)貨,實(shí)單必成
 詢價(jià)

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