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PBSS4032SP中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

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廠商型號

PBSS4032SP

功能描述

30 V, 4.8 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標識

4032SP

封裝外殼

SO8

文件大小

837.72 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-21 14:08:00

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PBSS4032SP規(guī)格書詳情

General description

PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT96-1 (SO8) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Features and benefits

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ Optimized switching time

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ DC-to-DC conversion

■ Battery-driven devices

■ Power management

■ Charging circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PBSS4032SP

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT Dual +/-30V ’+5.7A -5.7A 0.73W 140MHz

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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