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PBSS4032PT分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

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廠商型號

PBSS4032PT

參數(shù)屬性

PBSS4032PT 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 2.4A TO236AB

功能描述

30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

181.22 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

恩XP

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-21 15:22:00

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PBSS4032PT規(guī)格書詳情

General description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4032NT.

特性 Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ Optimized switching time

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High energy efficiency due to less heat generation

■ AEC-Q101 qualified

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ DC-to-DC conversion

■ Battery-driven devices

■ Power management

■ Charging circuits

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    PBSS4032PT,215

  • 制造商:

    ETC

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    330mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 1A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    160MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 2.4A TO236AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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