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PBSS4032PZ-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

PBSS4032PZ-Q

功能描述

30 V, 4.4 A PNP low VCEsat transistor

絲印標識

PB4032PZ

封裝外殼

SOT223

文件大小

303.85 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-21 14:02:00

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PBSS4032PZ-Q規(guī)格書詳情

1. General description

PNP low VCEsat transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

NPN complement: PBSS4032NZ-Q

2. Features and benefits

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? Optimized switching time

? High collector current capability IC and ICM

? High collector current gain (hFE) at high IC

? High energy efficiency due to less heat generation

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? DC-to-DC conversion

? Battery-driven devices

? Power management

? Charging circuits

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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