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PBSS4021SPN中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號(hào)

PBSS4021SPN

功能描述

20 V NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

絲印標(biāo)識(shí)

4021SPN

封裝外殼

SO8

文件大小

874.03 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-21 15:14:00

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PBSS4021SPN規(guī)格書詳情

Features and benefits

* Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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