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PBSS2540E中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

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廠商型號

PBSS2540E

功能描述

40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor

絲印標識

1S

封裝外殼

SC-75

文件大小

285.96 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-21 23:38:00

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PBSS2540E規(guī)格書詳情

特性 Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability: IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PBSS2540E

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT LOW VCESAT(BLISS)

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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