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PBSS2540E

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1s/marking.html">1S；Package：SC-75；40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor

Features *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *Highcollectorcurrentcapability:ICandICM *Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC *Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS2540E

40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor;

NPN low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT416 (SC-75) SMD plastic package.\n PNP complement: PBS3540E.\n

NexperiaNexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS2540E

40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor

ETC

ETC

PBSS2540F

40VlowVNPNtransistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3540F. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltage ?Highcurrentcapability ?Improvedthermalbehaviourduetoflatleads ?EnhancedperformanceoverSOT23generalpurposetransistors.

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

PBSS2540M

40V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION LowVCEsatNPNtransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. PNPcomplement:PBSS3540M. FEATURES ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ?Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration ?Reducedprinted

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    PBSS2540E

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT LOW VCESAT(BLISS) TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
恩XP
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NXP/恩智浦全新特價(jià)PBSS2540E即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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更多PBSS2540E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 14:14:00

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