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PBSS2515E中文資料恩XP數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

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廠商型號

PBSS2515E

功能描述

15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

文件大小

128.07 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

恩XP

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-22 20:00:00

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PBSS2515E規(guī)格書詳情

General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in an ultra small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

特性 Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High efficiency due to less heat generation

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ DC-to-DC conversion

■ MOSFET gate driving

■ Motor control

■ Charging circuits

■ Low power switches (e.g. motors, fans)

■ Portable applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PBSS2515E

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT NPN 15V .5A LOW SAT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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