PBRP123ET分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
PBRP123ET |
| 參數(shù)屬性 | PBRP123ET 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB |
| 功能描述 | 40 V, 600 mA PNP PB RET; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | SOT23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
267.54 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名稱 | 安世 安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-3 15:01:00 |
| 人工找貨 | PBRP123ET價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
PBRP123ET規(guī)格書詳情
1. General description
PNP low VCEsat Performance-Based (PB) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23
(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBRN123ET
2. Features and benefits
? 600 mA output current capability
? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
? High current gain hFE
? Reduces component count
? Built-in bias resistors
? Reduces pick and place costs
? Simplifies circuit design
? ±10 resistor ratio tolerance
3. Applications
? Digital application in automotive and industrial segments
? Switching loads
? Medium current peripheral driver
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
PBRP123ET,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 300mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
750mV @ 6mA，600mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
500nA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-236AB
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
2447 |
SOT23 |
100500 |
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SOT-23 |
8000 |
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ADI |
23+ |
SOT-23 |
7000 |
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Nexperia |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
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