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PBRN123YT-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PBRN123YT-Q
廠商型號

PBRN123YT-Q

功能描述

40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 10 kΩ

絲印標識

7P

封裝外殼

SOT23

文件大小

273.29 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名稱

安世 安世半導體(中國)有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-4 23:00:00

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PBRN123YT-Q規(guī)格書詳情

1. General description

NPN low VCEsat Performance-Based (PB) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBRP123YT-Q

2. Features and benefits

? 600 mA output current capability

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High current gain hFE

? Reduces component count

? Built-in bias resistors

? Reduces pick and place costs

? Simplifies circuit design

? ± 10 resistor ratio tolerance

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? Digital application in automotive and industrial segments

? Switching loads

? Medium current peripheral driver

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Nexperia(安世)
24+
SOT23(TO236)
7350
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SOT23
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NEXPERIA/安世
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