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PBRP113ET-Q中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PBRP113ET-Q
廠商型號

PBRP113ET-Q

功能描述

40 V, 600 mA PNP PB RET; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ

絲印標(biāo)識

7K

封裝外殼

SOT23

文件大小

268.4 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-20 9:36:00

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PBRP113ET-Q規(guī)格書詳情

1. General description

PNP low VCEsat Performance-Based (PB) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBRN113ET-Q

2. Features and benefits

? 600 mA output current capability

? Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

? High current gain hFE

? Reduces component count

? Built-in bias resistors

? Reduces pick and place costs

? Simplifies circuit design

? ± 10 resistor ratio tolerance

? Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

? Digital application in automotive and industrial segments

? Switching loads

? Medium current peripheral driver

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEXPERIA/安世
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原裝正品
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