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絲印	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
P11A	文件：620.12 Kbytes Page：7 Pages	型號：P1100TA；Thyristor Surge Suppressors (TSS) Description DO-214ACThyristorsolidstateprotectionthyristorprotect telecommunicationsequipmentsuchasmodems,linecards, faxmachines,andotherCPE. PSeriesdevicesareusedtoenableequipmenttomeet variousregulatoryrequirementsincludingGR1089,ITU K.20,K.21andK.45,IEC	YAGEOYageo Corporation 國巨臺灣國巨股份有限公司	YAGEO
P11B	文件：3.40996 Mbytes Page：6 Pages	型號：P1100TB；Package：DO-214AC；Thyristor Surge Suppressors (TSS) FeaturesandBenefits Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge Quickresponsetosurgevoltage(nsLevel) Eliminatesovervoltagecausedbyfastrisingtransients Moisturesensitivitylevel:Level1 Weight69mg(approximate) Nondegenerative ResponseTimeis	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司	UNSEMI
P11NM80	文件：908.99 Kbytes Page：22 Pages	型號：STP11NM80；Package：TO-220；N-channel 800 V, 0.35 Ω, 11 A MDmesh? Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220, TO-247 Features ■Lowinputcapacitanceandgatecharge ■Lowgateinputresistance ■BestRDS(on)*Qgintheindustry Applications ■Switchingapplications Description TheseN-channelPowerMOSFETsare developedusingSTMicroelectronics' revolutionaryMDmesh?technology,which associatesth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
P11N65D	文件：413.58 Kbytes Page：10 Pages	型號：SVSP11N65DD2TR；Package：TO-252-2L；11A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2isanN-channelenhancementmode highvoltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunction MOStechnology.Itachieveslowconductionlossandswitching losses.Itleadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswith highefficiency,highpower	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
P11N65FD2	文件：413.58 Kbytes Page：10 Pages	型號：SVSP11N65FD2；Package：TO-220F-3L；11A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2isanN-channelenhancementmode highvoltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunction MOStechnology.Itachieveslowconductionlossandswitching losses.Itleadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswith highefficiency,highpower	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
P11N65FJD	文件：413.58 Kbytes Page：10 Pages	型號：SVSP11N65FJDD2；Package：TO-220FJD-3L；11A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2isanN-channelenhancementmode highvoltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunction MOStechnology.Itachieveslowconductionlossandswitching losses.Itleadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswith highefficiency,highpower	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
P11N65KD2	文件：413.58 Kbytes Page：10 Pages	型號：SVSP11N65KD2；Package：TO-262-3L；11A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2isanN-channelenhancementmode highvoltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunction MOStechnology.Itachieveslowconductionlossandswitching losses.Itleadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswith highefficiency,highpower	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
P11N65SD2	文件：413.58 Kbytes Page：10 Pages	型號：SVSP11N65SD2；Package：TO-263-2L；11A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2isanN-channelenhancementmode highvoltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunction MOStechnology.Itachieveslowconductionlossandswitching losses.Itleadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswith highefficiency,highpower	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
P11N65SD2	文件：413.58 Kbytes Page：10 Pages	型號：SVSP11N65SD2TR；Package：TO-263-2L；11A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2isanN-channelenhancementmode highvoltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunction MOStechnology.Itachieveslowconductionlossandswitching losses.Itleadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswith highefficiency,highpower	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
P11N65TD2	文件：413.58 Kbytes Page：10 Pages	型號：SVSP11N65TD2；Package：TO-220-3L；11A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2isanN-channelenhancementmode highvoltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunction MOStechnology.Itachieveslowconductionlossandswitching losses.Itleadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswith highefficiency,highpower	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
P11
功能描述：
開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 150MW 4.7K 47K
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶體管極性：
NPN/PNP
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作頻率：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
50 V
集電極連續(xù)電流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封裝：
Reel

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	DDTA143ZE-7-F	DIODES(美臺)	24+	SOT-523(SC-75)	3022	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	DDTA143ZE-7-F	Diodes	24+	SOT-523	7500		詢價(jià)
深圳市凌旭科技有限公司	DDTA143ZE-7-F	DIODES	2016+	SOT523	33000	只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	DDTA143ZE-7-F	DIODESINC	23+	NA	69486	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	DDTA143ZE-7-F	DIODES/美臺	22+	SMD	30000	正規(guī)代理渠道假一賠十	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	DDTA143ZE-7-F	DIODES/美臺	1942+	SOT-523	9852	只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨!假一賠十!	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	DDTA143ZE-7-F	DIODES	20+	SOT523	32970	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價(jià)
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深圳市能創(chuàng)芯電子科技有限公司	DDTA143ZE-7-F	DIODES/美臺	23+	SMD	12000	原裝正品假一罰百!可開增票!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	DDTA143ZE-7-F	DIODES/美臺	23+	NA	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)

更多P11供應(yīng)商更新時(shí)間2025-7-28 23:00:00

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