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SVSP11N65SD2

絲印：P11N65SD2；Package：TO-263-2L；11A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2isanN-channelenhancementmode highvoltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunction MOStechnology.Itachieveslowconductionlossandswitching losses.Itleadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswith highefficiency,highpower

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士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司

SVSP11N65SD2

D-Well系列超級結(jié)高壓MOSFET; ? 11A,650V, RDS(on)(typ.)=0.33W@VGS=10V?\n? 創(chuàng)新高壓技術(shù)\n? 低柵極電荷\n? 較強(qiáng)的雪崩能力\n? 較強(qiáng)的dv/dt能力\n? 較高的峰值電流能力\n;

SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2? N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET采用士蘭微電子超結(jié)MOS技術(shù)平臺制造，具有很低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效，高功率密度，提高熱行為。\n\n 此外，SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2應(yīng)用廣泛。如，適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)?。\n\n

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SVSP11N65SD2TR

絲印：P11N65SD2；Package：TO-263-2L；11A, 650V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION SVSP11N65D/F/S/FJD/K/TD2isanN-channelenhancementmode highvoltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunction MOStechnology.Itachieveslowconductionlossandswitching losses.Itleadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswith highefficiency,highpower

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更多SVSP11N65SD2供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 11:26:00

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