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NXV08H400XT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXV08H400XT1
廠商型號(hào)

NXV08H400XT1

參數(shù)屬性

NXV08H400XT1 包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊;產(chǎn)品描述:NXV08H400XT1

功能描述

Automotive Power MOSFET Module
NXV08H400XT1

文件大小

748.51 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-3 8:14:00

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NXV08H400XT1規(guī)格書詳情

NXV08H400XT1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXV08H400XT1功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

特性 Features

? 2 Phase MOSFET Module

At Customer Side this Module Can Be Used as 1/2 Bridge MOSFET

Module by Combining 2 Phase Out Power Terminals

? Electrically Isolated DBC Substrate for Low Rthjc

? Compact Design for Low Total Module Resistance

? Module Serialization for Full Traceability

? Module Level AQG324 Qualified. Components Inside are

AEC Q101 (MOSFET) & AEC Q200 (Passives) Qualified

? UL 94 V?0 Compliant

? This Device is Pb?Free and is RoHS Compliant

Applications

? 48 V Inverter, 48 V Traction

Benefits

? Enable Design of Small, Efficient and Reliable System for Reduced

Vehicle Fuel Consumption and CO2 Emission

? Simplified Vehicle Assembly

? Low Thermal Resistance to Junction to Heat Sink by Direct

Mounting via Thermal Interface Material between Module Case and

Heat Sink

? Low Inductance

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NXV08H400XT1

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    NXV08H400XT1

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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