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NXV08B800DT1中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NXV08B800DT1
廠商型號(hào)

NXV08B800DT1

功能描述

Automotive Power MOSFET Module

文件大小

663.73 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-2 23:00:00

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NXV08B800DT1規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

? Back to Back Mosfet Load Switch Module

? Temp Sensing

? Electrically Isolated DBC Substrate for Low Rthjc

? Compact Design for Low Total Module Resistance

? Module Serialization for Full Traceability

? AQG324 Qualified

? UL 94 V?0

? ESD Tested for HBM and CDM per AEC Q101, JS?001, JS?002

? This Device is Pb?Free and is RoHS Compliant

Applications

? 48 V Battery Switch (Back to Back Source Common)

Benefits

? Enable Design of Small, Efficient and Reliable System for Reduced

Vehicle Fuel Consumption and CO2 Emission

? Simplified Vehicle Assembly

? Low Thermal Resistance to Junction to Heat Sink by Direct

? Mounting via Thermal Interface Material between Module Case and

Heat Sink

? Low Inductance

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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