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NXV04V120DB1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊規(guī)格書PDF中文資料

NXV04V120DB1
廠商型號(hào)

NXV04V120DB1

參數(shù)屬性

NXV04V120DB1 封裝/外殼為19-PowerDIP 模塊(1.480",37.60mm);包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊;產(chǎn)品描述:3-PHASE INVERTER AUTOMOTI

功能描述

Three Phase Inverter Automotive Power MOSFET Module
3-PHASE INVERTER AUTOMOTI

封裝外殼

19-PowerDIP 模塊(1.480",37.60mm)

文件大小

540.08 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-2 23:00:00

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NXV04V120DB1規(guī)格書詳情

NXV04V120DB1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的功率驅(qū)動(dòng)器模塊。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NXV04V120DB1功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NXV04V120DB1

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 類型:

    MOSFET

  • 配置:

    三相反相器

  • 電壓 - 隔離:

    2500Vrms

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    19-PowerDIP 模塊(1.480",37.60mm)

  • 描述:

    3-PHASE INVERTER AUTOMOTI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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