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NTH4L022N120M3S

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,22mohm,1200V,M3,TO-247-4L

Features ?Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V ?LowSwitchingLosses(Typ.EON490Jat40A,800V) ?100AvalancheTested ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb?Free2LI(onSecondLevelInterconnection) TypicalApplications ?SolarInverters ?ElectricV

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NTH4L022N120M3S

MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel,TO247-4L1200V,22m,68A

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SiliconCarbide(SiC)MOSFET–22mohm,1200V,M3S,TO-247-4

Features ?Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=151nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=244pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb?Free2LI(on

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MOSFET-SiCPower,SingleN-Channel,TO247-4L1200V,22m,68A

Features ?Typ.RDS(on)=22m@VGS=18V ?UltraLowGateCharge(QG(tot)=151nC) ?HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=244pF) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesareRoHSCompliant TypicalApplications ?AutomotiveOnBoardC

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更多NVH4L022N120M3S-D供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 10:31:00

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