訂購數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|
1+ |
首頁>NSV1C301ET4G>芯片詳情
NSV1C301ET4G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號:NSV1C301ET4G品牌:ON(安森美)
全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
NSV1C301ET4G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝標(biāo)準(zhǔn)封裝/TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63的NSV1C301ET4G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NSV1C301ET4G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
250mV @ 300mA,3A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 500mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
120MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
DPAK
- 描述:
TRANS NPN 100V 3A DPAK
供應(yīng)商
相近型號
- NSV12100XV6T1G
- NSV20201DMTWTBG
- NSV12100UW3TCG
- NSV20201LT1G
- NSTR4501NT1G
- NSV2029M3T5G
- NSTB60BDW1T1G
- NSV2SA2029M3T5G
- NSTB1005DXV5T1G
- NSV2SC5658M3T5G
- NSTB1004DXV5T1G
- NSV30100LT1G
- NSTB1002DXV5T1G
- NSV40200LT1G
- NST857BF3T5G
- NSV40200UW6T1G
- NST857BDP6T5G
- NSV40300MDR2G
- NST856BF3T5G
- NSV40300MZ4T1G
- NST848BF3T5G
- NSV40301MDR2G
- NST847BPDP6T5G
- NSV40301MZ4T1G
- NST847BF3T5G
- NSV40302PDR2G
- NST847BDP6T5G
- NSV45015WT1G
- NST846BF3T5G
- NSV45020AT1G
- NST65011MW6T1G
- NSV45020T1G
- NST65010MW6T1G
- NSV45060JDT4G
- NST489AMT1G
- NSV45090JDT4G
- NST45011MW6T1G
- NSV50150ADT4G
- NST3946DXV6T5G
- NSV60100DMTWTBG
- NST3946DXV6T1G
- NSV60101DMR6T1G
- NST3946DP6T5G
- NSV60101DMTWTBG
- NST3946
- NSV60200DMTWTBG
- NST3906F3T5G
- NSV60200LT1G
- NST3906DXV6T1G
- NSV60200SMTWTBG