訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>NSTB1004DXV5T1G>芯片詳情
NSTB1004DXV5T1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553中天科工二部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NSTB1004DXV5T1G
- 功能描述:
TRANSISTOR BRT NPN/PNP SOT-553
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
3,000
- 晶體管類型:
1 個 NPN,1 個 PNP - 預(yù)偏壓式(雙) 電流 -
- 集電極(Ic)(最大):
70mA,100mA 電壓 -
- 集電極發(fā)射極擊穿(最大):
50V 電阻器 -
- 基極(R1)(歐):
47k,2.2k 電阻器 -
- 發(fā)射極(R2)(歐):
47k 在某 Ic、Vce
- 時的最小直流電流增益(hFE):
70 @ 5mA,5V
- Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):
300mV @ 500µA,10mA 電流 -
- 集電極截止(最大):
- 頻率 -
- 轉(zhuǎn)換:
100MHz,200MHz 功率 -
- 最大:
250mW
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
PG-SOT363-6
- 包裝:
帶卷(TR)
- 其它名稱:
SP000784046
供應(yīng)商
相近型號
- NST848BF3T5G
- NSV12200LT1G
- NST847BPDP6T5G
- NSV1C200MZ4T1G
- NST847BF3T5G
- NSV1C201MZ4T1G
- NST847BDP6T5G
- NSV1C300ET4G-VF01
- NST846BF3T5G
- NSV1C301ET4G
- NST65011MW6T1G
- NSV1C301ET4G-VF01
- NST65010MW6T1G
- NSV1SS400T1G
- NST489AMT1G
- NSV20101JT1G
- NST45011MW6T1G
- NSV20200DMTWTBG
- NST3946DXV6T5G
- NSV20200LT1G
- NST3946DXV6T1G
- NSV20201DMTWTBG
- NST3946DP6T5G
- NSV20201LT1G
- NST3946
- NSV2029M3T5G
- NST3906F3T5G
- NSV2SA2029M3T5G
- NST3906DXV6T1G
- NSV2SC5658M3T5G
- NST3906DP6T5G
- NSV30100LT1G
- NST3904F3T5G
- NSV40200LT1G
- NST3904DXV6T5G
- NSV40200UW6T1G
- NST3904DXV6T1G
- NSV40300MDR2G
- NST3904DP6T5G
- NSV40300MZ4T1G
- NST30010MXV6T1G
- NSV40301MDR2G
- NST175H-QMSR
- NSV40301MZ4T1G
- NST1001-QTZB
- NSV40302PDR2G
- NST1001-QTOS
- NSV45015WT1G
- NST1001-QDNR
- NSV45020AT1G