NE325S01中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
NE325S01 |
| 功能描述 | C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 文件大小 |
60.53 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | NEC |
| 中文名稱(chēng) | 瑞薩 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-9 23:01:00 |
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NE325S01規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
The NE325S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
? Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.45 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz
? Gate Length: Lg ≤ 0.20 μm
? Gate Width : Wg = 200 μm
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NE325S01
- 功能描述：
射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類(lèi)型：
pHEMT
- 頻率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪聲系數(shù)：
正向跨導(dǎo)
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓：
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流：
3 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
1000 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SMD |
80000 |
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
NEC |
25+ |
SMD |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
NEC |
24+ |
2789 |
全新原裝自家現(xiàn)貨!價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢(xún)價(jià) | |||
NEC |
01+ |
cross |
1824 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
NEC |
04+ |
SO86 |
8175 |
詢(xún)價(jià) | |||
22+ |
SMT-86 |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢(xún)價(jià) | |||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專(zhuān)業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢(xún)價(jià) | ||
NEC |
2016+ |
SMT86 |
6528 |
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SMD |
60100 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) |
