首頁>NE325S01-T1B>規(guī)格書詳情
NE325S01-T1B中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
NE325S01-T1B |
| 功能描述 | C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 文件大小 |
52.74 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-4 18:35:00 |
| 人工找貨 | NE325S01-T1B價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE325S01-T1B規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE325S01 is a Hetero-Junction FET that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise figure and high associated gain make it suitable for commercial systems and industrial applications.
NECs stringent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.
FEATURES
? SUPER LOW NOISE FIGURE: 0.45 dB TYP at 12 GHz
? HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.5 dB TYP at 12 GHz
? GATE LENGTH: ≤ 0.20 μm
? GATE WIDTH: 200 μm
? LOW COST PLASTIC PACKAGE
產(chǎn)品屬性
- 型號：
NE325S01-T1B
- 功能描述：
射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型：
pHEMT
- 頻率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪聲系數(shù)：
正向跨導(dǎo)
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓：
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流：
3 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2016+ |
SMT86 |
6528 |
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十! |
詢價 | ||
NEC |
04+ |
SO86 |
8175 |
詢價 | |||
NEC |
24+ |
SMT |
25000 |
一級專營品牌全新原裝熱賣 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
NA/ |
1000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
NEC |
2025+ |
SOT86 |
3685 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
NEC |
ROHS |
13352 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
NEC |
24+ |
SMD |
60100 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
24+ |
14000 |
本站現(xiàn)庫存 |
詢價 | ||||
6000 |
面議 |
19 |
DIP/SMD |
詢價 | |||
NEC |
25+ |
SMD |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 |
