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NE325S01-T1B中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
NE325S01-T1B |
| 功能描述 | C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 文件大小 |
60.53 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | NEC |
| 中文名稱 | 瑞薩 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-7 15:40:00 |
| 人工找貨 | NE325S01-T1B價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE325S01-T1B規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
The NE325S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
? Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.45 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz
? Gate Length: Lg ≤ 0.20 μm
? Gate Width : Wg = 200 μm
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NE325S01-T1B
- 功能描述：
射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類(lèi)型：
pHEMT
- 頻率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪聲系數(shù)：
正向跨導(dǎo)
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓：
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流：
3 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
25+ |
SMD |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SMD |
80000 |
只做自己庫(kù)存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
22+ |
SMT-86 |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) | |||
NEC |
2447 |
cross |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
SMD |
489 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
NEC |
2025+ |
SOT86 |
3685 |
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢價(jià) | ||
NEC |
ROHS |
13352 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
NEC |
2016+ |
SMT86 |
6528 |
只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十! |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SMD |
60100 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
1923+ |
原廠封裝 |
12008 |
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫(kù)存專業(yè)工廠研究所配單供貨 |
詢價(jià) |
