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MT3S113

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/r7/marking.html">R7；Package：S-MINI；Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

MT3S113

Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor

Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本\n; Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 800 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 5.3 V \n;

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

MT3S113

VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

MT3S113P

絲印：R7；Package：Pw-Mini；Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

MT3S113P

Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor

Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本\n; Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 1600 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 5.3 V \n;

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

MT3S113TU

Radio-frequency SiGe Heterojunction Bipolar Transistor

Application Scope：VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰國(guó)\n; Collector Current IC 0.1 A \nCollector power dissipation (mounted on board) PC 900 mW \nJunction temperature Tj 150 ℃ \nCollector-emitter voltage VCEO 5.3 V \n;

ToshibaToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

MT3S113TU

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/r7/marking.html">R7；Package：UFM；Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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MT3S113P

VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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MT3S113TU

VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

MT3S113(TE85L,F)

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

技術(shù)參數(shù)

  • application scope：

    VHF/UHF band low noise

  • VCEO (Max) (V)：

    5.3

  • IC (Max) (A)：

    0.1

  • fT (Typ.) (GHz)：

    12.5

  • 2 (Typ.) (dB)：

    11.8

  • NF (Typ.) (dB)：

    1.15

  • Number of pins：

    3

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name(Toshiba)：

    S-Mini

  • Width×Length×Height(mm)：

    2.9 x 2.5 x 1.1

  • Package Size(mm^2)：

    7.25

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
20+
SOT-23
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
23+
SOT-23
100586
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
 詢價(jià)
TOSHIBA
1844+
NA
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
23+
SOT23
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
TOSHIBA
1416+
SOT23
546
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
24+
NA/
2490
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
24+
SOT23
60000
詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
2511
SOT-23
360000
電子元器件采購(gòu)降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià)
 詢價(jià)
TOSHIBA
24+
SOT-323
3215
原裝優(yōu)勢(shì)!絕對(duì)公司現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
TOSHIBA
24+/25+
441000
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
 詢價(jià)
更多MT3S113供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-31 14:00:00

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