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MT3S113TU分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MT3S113TU
廠商型號

MT3S113TU

參數(shù)屬性

MT3S113TU 封裝/外殼為3-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

絲印標識

R7

封裝外殼

UFM / 3-SMD,扁平引線

文件大小

1.58274 Mbytes

頁面數(shù)量

73

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-25 13:32:00

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MT3S113TU規(guī)格書詳情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MT3S113TU,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5.3V

  • 頻率 - 躍遷:

    11.2GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.45dB @ 1GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 功率 - 最大值:

    900mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 30mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    UFM

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
24+
SOT-323
60000
全新原裝現(xiàn)貨
詢價
TOSHIBA/東芝
24+
SOT-323
22055
鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
TOSHIBA
23+
SOT-70
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
TOSHIBA/東芝
2511
SOT-323
360000
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價
詢價
TOSHIBA
22+
SOT323
30000
只做原裝正品
詢價
TOSHIBA
10+
SOT-323
2909
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
24+
N/A
47000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
詢價
TOSHIBA/東芝
23+
SOT-323
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
TOSHIBA/東芝
2447
SOT
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
詢價
TOSHIBA(東芝)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
詢價