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MT3S113TU分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MT3S113TU
廠商型號

MT3S113TU

參數(shù)屬性

MT3S113TU 封裝/外殼為3-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

功能描述

VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications

封裝外殼

3-SMD,扁平引線

文件大小

185.41 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-1 8:24:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MT3S113TU,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5.3V

  • 頻率 - 躍遷:

    11.2GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    1.45dB @ 1GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 功率 - 最大值:

    900mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 30mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    UFM

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Toshiba
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