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MSB1218A-RT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MSB1218A-RT1G |
| 參數(shù)屬性 | MSB1218A-RT1G 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3 |
| 功能描述 | PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor |
| 封裝外殼 | SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
123.51 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-6 20:36:00 |
| 人工找貨 | MSB1218A-RT1G價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
MSB1218A-RT1G規(guī)格書詳情
MSB1218A-RT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MSB1218A-RT1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC--70/SOT--323 package which is designed for low power surface mount applications.
特性 Features
? High hFE, 210-- 460
? Low VCE(sat), < 0.5 V
? These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
MSB1218A-RT1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 10mA，100mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
210 @ 2mA，10V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-70，SOT-323
- 供應(yīng)商器件封裝：
SC-70-3（SOT323）
- 描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SOT-323 |
23+ |
NA |
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