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首頁(yè)>MSB1218A-RT1G>芯片詳情

MSB1218A-RT1G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 100mA 45V PNP向鴻偉業(yè)電子

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  • 廠家型號(hào)：

    MSB1218A-RT1G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    80000

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2410+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-24 10:18:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：MSB1218A-RT1G品牌：ONSEMI/安森美

原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.

  • 芯片型號(hào)：

    MSB1218A-RT1G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    4 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    123.51 kb

  • 資料說(shuō)明：

    PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    MSB1218A-RT1G

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 100mA 45V PNP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13751179224

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82561519/0755-82567969/18928435545

  • 傳真：

    0755-82561519

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)304棟西5樓503室

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