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MSB1218A-RT1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MSB1218A-RT1
廠商型號

MSB1218A-RT1

參數(shù)屬性

MSB1218A-RT1 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3

功能描述

PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

156.45 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

Motorola

中文名稱

摩托羅拉

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-8 15:08:00

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MSB1218A-RT1規(guī)格書詳情

This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC–70/SOT–323 package which is designed for low power surface mount applications.

? High hFE, 210–460

? Low VCE(sat), < 0.5 V

? Available in 8 mm, 7–inch/3000 Unit Tape and Reel

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MSB1218A-RT1

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 10mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    210 @ 2mA,10V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應商器件封裝:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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