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MRF5S9100MR1中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
MRF5S9100MR1 |
功能描述 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
文件大小 |
442.7 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | FREESCALE Freescale Semiconductor, Inc |
中文名稱 | 飛思卡爾 飛思卡爾半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-24 20:48:00 |
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MRF5S9100MR1規(guī)格書詳情
RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applications in 26 volt base station equipment.
? Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 880 MHz, VDD = 26 Volts,
IDQ = 950 mA, Pout = 20 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,
Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR =
9.8 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
Power Gain — 19.5 dB
Drain Efficiency — 28
ACPR @ 750 kHz Offset — -46.8 dBc in 30 kHz Bandwidth
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 100 Watts CW Output Power
特性 Features
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? Internally Matched for Ease of Use
? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation
? Integrated ESD Protection
? 200°C Capable Plastic Package
? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
MRF5S9100MR1
- 功能描述:
MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET
- 系列:
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖:
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
3,000
- 晶體管類型:
N 通道 JFET
- 頻率:
-
- 增益:
- 電壓 -
- 測(cè)試:
-
- 額定電流:
30mA
- 噪音數(shù)據(jù):
- 電流 -
- 測(cè)試:
- 功率 -
- 輸出:
- 電壓 -
- 額定:
25V
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:
帶卷(TR)
- 產(chǎn)品目錄頁面:
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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