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MRF5S21150HSR3中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
MRF5S21150HSR3 |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
文件大小 |
386.37 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | FREESCALE Freescale Semiconductor, Inc |
中文名稱 | 飛思卡爾 飛思卡爾半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-21 18:06:00 |
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MRF5S21150HSR3規(guī)格書詳情
Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applications.
? Typical 2-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1300 mA,
Pout = 33 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth =
3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
Power Gain — 12.5 dB
Efficiency — 25
IM3 @ 10 MHz Offset — -37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
ACPR @ 5 MHz Offset — -39 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 125 Watts CW Output Power
特性 Features
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? Internally Matched for Ease of Use
? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation
? Integrated ESD Protection
? Lower Thermal Resistance Package
? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.
? RoHS Compliant
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
MRF5S21150HSR3
- 功能描述:
MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880S
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET
- 系列:
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖:
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
3,000
- 晶體管類型:
N 通道 JFET
- 頻率:
-
- 增益:
- 電壓 -
- 測(cè)試:
-
- 額定電流:
30mA
- 噪音數(shù)據(jù):
- 電流 -
- 測(cè)試:
- 功率 -
- 輸出:
- 電壓 -
- 額定:
25V
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:
帶卷(TR)
- 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale |
23+ |
高頻管 |
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