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MRF5S21150HR3中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF5S21150HR3
廠商型號

MRF5S21150HR3

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件大小

386.37 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

FREESCALE Freescale Semiconductor, Inc

中文名稱

飛思卡爾 飛思卡爾半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-24 19:09:00

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MRF5S21150HR3規(guī)格書詳情

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applications.

? Typical 2-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1300 mA,

Pout = 33 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth =

3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 12.5 dB

Efficiency — 25

IM3 @ 10 MHz Offset — -37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

ACPR @ 5 MHz Offset — -39 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 125 Watts CW Output Power

特性 Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? Lower Thermal Resistance Package

? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF5S21150HR3

  • 功能描述:

    MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    3,000

  • 晶體管類型:

    N 通道 JFET

  • 頻率:

    -

  • 增益:

    - 電壓 -

  • 測試:

    -

  • 額定電流:

    30mA

  • 噪音數(shù)據(jù):

    - 電流 -

  • 測試:

    - 功率 -

  • 輸出:

    - 電壓 -

  • 額定:

    25V

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包裝:

    帶卷(TR)

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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