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MRF5812GR2數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
MRF5812GR2 |
| 參數(shù)屬性 | MRF5812GR2 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO |
| 功能描述 | RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名稱 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-6 22:58:00 |
| 人工找貨 | MRF5812GR2價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRF5812GR2
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
15V
- 頻率 - 躍遷：
5GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
2dB ~ 3dB @ 500MHz
- 增益：
13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值：
1.25W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
200mA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SO
- 描述：
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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