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首頁(yè)>MRF5812>規(guī)格書(shū)詳情

MRF5812數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

MRF5812

參數(shù)屬性

MRF5812 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC

功能描述

Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 8-Pin SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-7 14:18:00

人工找貨

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :MRF5812

  • 生產(chǎn)廠家

    :NJS

  • Number of Elements per Chip

    :1

  • Minimum DC Current Gain

    :50@50mA@5V

  • Maximum Transition Frequency

    :5000(Typ)MHz

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :2.5V

  • Maximum DC Collector Current

    :0.2A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :15V

  • Maximum Collector Base Voltage

    :30V

  • Configuration

    :Single Dual Base Dual Collector Quad Emitter

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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