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首頁>MRF581>規(guī)格書詳情

MRF581數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號(hào)

MRF581

參數(shù)屬性

MRF581 封裝/外殼為微型-X 陶瓷 84C;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

功能描述

Trans GP BJT NPN 18V 0.2A 4-Pin Macro-X

封裝外殼

微型-X 陶瓷 84C

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-7 8:31:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :MRF581

  • 生產(chǎn)廠家

    :NJS

  • Number of Elements per Chip

    :1

  • Minimum Operating Temperature

    :-65°C

  • Minimum DC Current Gain

    :50@50mA@5V

  • Maximum Transition Frequency

    :5000(Typ)MHz

  • Maximum Operating Temperature

    :150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :2.5V

  • Maximum DC Collector Current

    :0.2A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :18V

  • Maximum Collector Base Voltage

    :30V

  • Configuration

    :Single Dual Emitter

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