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MJE210分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJE210
廠商型號(hào)

MJE210

參數(shù)屬性

MJE210 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 5A TO126

功能描述

5 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 25 VOLTS 15 WATTS

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

255.72 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

MOTOROLA摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-1 8:48:00

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MJE210規(guī)格書詳情

Complementary Silicon Power Plastic Transistors

. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.

? Collector–Emitter Sustaining Voltage —

VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

? High DC Current Gain — hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc

High DC Current Gain — hFE = 45 (Min) @ IC = 2.0 Adc

High DC Current Gain — hFE = 10 (Min) @ IC = 5.0 Adc

? Low Collector–Emitter Saturation Voltage —

VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc

VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc

? High Current–Gain — Bandwidth Product —

fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc

? Annular Construction for Low Leakage —

ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJE210

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.8V @ 1A,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    45 @ 2A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    65MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 5A TO126

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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