MJE210分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
MJE210 |
參數(shù)屬性 | MJE210 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 5A TO126 |
功能描述 | 5 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 25 VOLTS 15 WATTS |
封裝外殼 | TO-225AA,TO-126-3 |
文件大小 |
255.72 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Motorola, Inc |
企業(yè)簡稱 |
MOTOROLA【摩托羅拉】 |
中文名稱 | 加爾文制造公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-1 8:48:00 |
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MJE210規(guī)格書詳情
Complementary Silicon Power Plastic Transistors
. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.
? Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
? High DC Current Gain — hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc
High DC Current Gain — hFE = 45 (Min) @ IC = 2.0 Adc
High DC Current Gain — hFE = 10 (Min) @ IC = 5.0 Adc
? Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc
VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc
? High Current–Gain — Bandwidth Product —
fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc
? Annular Construction for Low Leakage —
ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
MJE210
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
1.8V @ 1A,5A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
45 @ 2A,1V
- 頻率 - 躍遷:
65MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-225AA,TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-126
- 描述:
TRANS PNP 40V 5A TO126
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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MOTOROLA |
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