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MJE200分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJE200
廠商型號

MJE200

參數(shù)屬性

MJE200 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 25V 5A TO126-3

功能描述

5 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 25 VOLTS 15 WATTS

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

255.72 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

MOTOROLA

中文名稱

摩托羅拉

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 12:05:00

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MJE200規(guī)格書詳情

Complementary Silicon Power Plastic Transistors

. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.

? Collector–Emitter Sustaining Voltage —

VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc

? High DC Current Gain — hFE = 70 (Min) @ IC = 500 mAdc

High DC Current Gain — hFE = 45 (Min) @ IC = 2.0 Adc

High DC Current Gain — hFE = 10 (Min) @ IC = 5.0 Adc

? Low Collector–Emitter Saturation Voltage —

VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc

VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 2.0 Adc

? High Current–Gain — Bandwidth Product —

fT = 65 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc

? Annular Construction for Low Leakage —

ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJE200STU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.8V @ 1A,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    45 @ 2A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    65MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126-3

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 5A TO126-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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