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MJE200分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJE200
廠商型號(hào)

MJE200

參數(shù)屬性

MJE200 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 25V 5A TO126-3

功能描述

Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package.

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

811.73 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

FOSHAN

中文名稱

藍(lán)箭電子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-1 20:00:00

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MJE200規(guī)格書詳情

Descriptions

Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package.

特性 Features

Low collector-emitter saturation voltage, high current gain bandwidth product, Complement to MJE210.

Applications

Designed for general audio amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MJE200STU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.8V @ 1A,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    45 @ 2A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    65MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126-3

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 5A TO126-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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TO126
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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