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MJD117-251中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJD117-251
廠商型號

MJD117-251

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

文件大小

300.27 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

ISC

中文名稱

無錫固電

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-16 23:01:00

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MJD117-251規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·High DC current gain

·Lead formed for surface mount applications

·Built-in a damper diode at E-C

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier

and low speed switching applications.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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原裝正品
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ON(安森美)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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