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MJD117分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD117
廠商型號

MJD117
參數(shù)屬性

MJD117 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
功能描述

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

394.75 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 KEC CORPORATION
企業(yè)簡稱

KEC

中文名稱

KEC株式會社官網(wǎng)
原廠標識
KEC
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-8-1 12:20:00
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MJD117規(guī)格書詳情

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.

FEATURES

? High DC Current Gain. : hFE=1000(Min.), VCE=-4V, IC=-1A.

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage.

? Straight Lead (IPAK, L Suffix)

? Complementary to MJD112/L.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD117

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    PNP - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 40mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 2A，3V

  • 頻率 - 躍遷：

    25MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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22+
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原裝正品現(xiàn)貨,可開13點稅
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11000
原裝正品 有掛有貨 假一賠十
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