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MJD117分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD117
廠商型號

MJD117

參數(shù)屬性

MJD117 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

84.64 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-7-24 19:10:00

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MJD117規(guī)格書詳情

Description

The devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration.

Features

■ Good hFE linearity

■ High fT frequency

■ Monolithic Darlington configuration with

integrated antiparallel collector-emitter diode

Application

■ Linear and switching industrial equipment

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJD117

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    PNP - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 2A,3V

  • 頻率 - 躍遷:

    25MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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