MJ11033分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MJ11033 |
| 參數(shù)屬性 | MJ11033 封裝/外殼為TO-204AE；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP DARL 120V 50A TO204 |
| 功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | TO-204AE |
| 文件大小 |
153.97 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-7 17:41:00 |
| 人工找貨 | MJ11033價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
MJ11033規(guī)格書詳情
MJ11033屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MJ11033晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。
High?Current Complementary Silicon Power Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
特性 Features
? High DC Current Gain ? hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc
hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
? Curves to 100 A (Pulsed)
? Diode Protection to Rated IC
? Monolithic Construction with Built?In Base?Emitter Shunt Resistor
? Junction Temperature to +200°C
? Pb?Free Packages are Available*
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
MJ11033G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
PNP - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
3.5V @ 500mA，50A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
2mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 25A，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AE
- 供應商器件封裝：
TO-204（TO-3）
- 描述：
TRANS PNP DARL 120V 50A TO204
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO |
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