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MJ11032分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJ11032
廠商型號

MJ11032

參數(shù)屬性

MJ11032 封裝/外殼為TO-204AE;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

功能描述

50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS

封裝外殼

TO-204AE

文件大小

153.97 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

MOTOROLA

中文名稱

摩托羅拉

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-25 20:00:00

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MJ11032規(guī)格書詳情

High-Current Complementary Silicon Transistor

. . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

? High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc

hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc

? Curves to 100 A (Pulsed)

? Diode Protection to Rated IC

? Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor

? Junction Temperature to +200°C

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJ11032

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    3.5V @ 500mA,50A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 25A,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-204AE

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 120V 50A TO204

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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