MJ11032分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MJ11032 |
參數(shù)屬性 | MJ11032 封裝/外殼為TO-204AE;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN DARL 120V 50A TO204 |
功能描述 | POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W) |
封裝外殼 | TO-204AE |
文件大小 |
154.67 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Mospec Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
MOSPEC【統(tǒng)懋】 |
中文名稱 | 統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-4 14:03:00 |
人工找貨 | MJ11032價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
MJ11032規(guī)格書詳情
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
. . . designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.
? High Gain Darlington Performance
? High DC Current Gain: hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 A
hFE = 400 (Min) @ IC = 50 A
? Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MJ11032
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
3.5V @ 500mA,50A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
2mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 25A,5V
- 工作溫度:
-55°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-204AE
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-204(TO-3)
- 描述:
TRANS NPN DARL 120V 50A TO204
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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