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IXYN80N90C3H1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 IXYS

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原廠料號:IXYN80N90C3H1品牌:IXYS

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IXYN80N90C3H1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商IXYS生產(chǎn)封裝Module/SOT-227-4,miniBLOC的IXYN80N90C3H1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號:

    IXYN80N90C3H1

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    IXYS詳情

  • 廠商全稱:

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    7 頁

  • 文件大?。?/span>

    188.17 kb

  • 資料說明:

    Preliminary Technical Information

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 型號

    :IXYN80N90C3H1

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :115

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :2.7

  • Fall Time [Inductive Load] (ns)

    :86

  • Configuration

    :Copack (FRED)

  • Package Type

    :SOT-227U

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.25

  • Collector Current @ 90 ℃ (A)

    :70

  • Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ)

    :2.5

  • Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)

    :0.42

  • Forward Current @ 110 ℃ (A)

    :42

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市華睿芯科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪留言

  • 聯(lián)系人:

    張經(jīng)理

  • 手機:

    18675544552

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  • 地址:

    深圳市福田中航路都會100大廈B座10Q