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IXYH30N120C3D1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS

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  • 廠家型號(hào):

    IXYH30N120C3D1

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    IXYS(艾賽斯)

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    8263

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-247-3

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+

  • 庫(kù)存類型:

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2025-7-30 11:37:00

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原廠料號(hào):IXYH30N120C3D1品牌:IXYS(艾賽斯)

原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/p>

IXYH30N120C3D1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS(艾賽斯)/IXYS生產(chǎn)封裝TO-247-3的IXYH30N120C3D1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    IXYH30N120C3D1

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    IXYS詳情

  • 廠商全稱:

    IXYS Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    7 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    189.11 kb

  • 資料說(shuō)明:

    High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    :IXYH30N120C3D1

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :66

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :3.3

  • Fall Time [Inductive Load] (ns)

    :88

  • Configuration

    :Copack (FRED)

  • Package Type

    :TO-247U

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.3

  • Turn-off Energy @ 150 ℃ (mJ)

    :1.6

  • Collector Current @ 110 ℃ (A)

    :30

  • Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)

    :0.9

  • Forward Current @ 110 ℃ (A)

    :20

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市得捷芯城科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人:

    蔡小姐

  • 手機(jī):

    19129919757

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-82538371 83062789

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號(hào)世貿(mào)廣場(chǎng)A座5層