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IXKH35N60C5中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IXKH35N60C5
廠商型號

IXKH35N60C5

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

文件大小

114.76 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-9-11 15:08:00

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IXKH35N60C5規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge

特性 Features

? fast COOLMOS?* power MOSFET 4th generation

- High blocking capability

- Lowest resistance

- Avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)

- Low thermal resistance due to reduced chip thickness

? Enhanced total power density

Applications

? Switched mode power supplies(SMPS)

? Uninterruptible power supplies (UPS)

? Power factor correction (PFC)

? Welding

? Inductive heating

? PDP and LCD adapter

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IXKH35N60C5

  • 功能描述:

    MOSFET 35 Amps 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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最新
2000
原裝正品現(xiàn)貨
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